FESB16JT-E3/45
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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Diskrete Halbleiter-Produkte
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Sensoren, Wandler
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Anschlüsse, Verbindungen
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB16JT-E3/45
| Artikelnummer: | FESB16JT-E3/45 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE GEN PURP 600V 16A TO263AB |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $1.80 |
| 10+ | $1.618 |
| 100+ | $1.3005 |
| 500+ | $1.0685 |
| 1000+ | $0.9504 |
»
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- Spezifikationen
- Einkaufshandbuch
- Versandinformationen
- Verpackung
-
Vishay General Semiconductor - Diodes Division FESB16JT-E3/45 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FESB16JT-E3/45.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.5 V @ 16 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 600 V Technologie Standard Supplier Device-Gehäuse TO-263AB (D²PAK) Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Serie - Rückwärts-Erholzeit (Trr) 50 ns Verpackung / Gehäuse TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tube Betriebstemperatur - Anschluss -65°C ~ 150°C Befestigungsart Surface Mount Strom - Sperrleckstrom @ Vr 10 µA @ 600 V Strom - Richt (Io) 16A Kapazität @ Vr, F 145pF @ 4V, 1MHz Grundproduktnummer FESB16 FESB16JT-E3/45 Einzelheiten PDF [English] FESB16JT-E3/45 PDF - EN.pdf -
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